模拟电路期中模拟试题3

 

一、选择正确答案填入空内。

    1PN结加正向电压时,空间电荷区将     

           A. 变窄       B. 基本不变      C. 变宽

    2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是     

           A.  ISeU       B.        C.

    3)稳压管的稳压区是其工作在     

           A. 正向导通    B.反向截止      C.反向击穿

    4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为     

           A. 前者反偏、后者也反偏

           B. 前者正偏、后者反偏

           C. 前者正偏、后者也正偏

    5UGS0V时,能够工作在恒流区的场效应管有     

           A. 结型管  B. 增强型MOS   C. 耗尽型MOS

解:1A   2C   3C   4B   5A  C

二、分别改正图P2.2所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。


P2.2

    解:a)将-VCC改为+VCC          

 b)在+VCC 与基极之间加Rb

    c)将VBB反接,且在输入端串联一个电阻。 

    d)在VBB支路加Rb,在-VCC与集电极之间加Rc

 

 

三、 电路如图P1.11a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ3VR的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1uO2的波形。


 

P1.11

解:波形如解图P1.11所示


解图P1.11

 

四、电路如图P2.6所示,已知晶体管b50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设VCC12V,晶体管饱和管压降UCES0.5V

    1)正常情况       2Rb1短路       3Rb1开路

    4Rb2开路        5RC短路


 

P2.6

解:UBE0.7V。则

(1) 基极静态电流

         

2)由于UBE0VT截止,UC12V

3)临界饱和基极电流

         

实际基极电流

         

由于IBIBS,故T饱和,UCUCES0.5V

4T截止,UC12V

5)由于集电极直接接直流电源,UCVCC12V

五、电路如图P3.9所示,晶体管的β=50 =100Ω。

    1)计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位;


 2)用直流表测得uO=2VuI=?若uI=10mv,则uO=

P3.9

 

    解:1)用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为

            

    静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位分别为

           

2)先求出输出电压变化量,再求解差模放大倍数,最后求出输入电压,如下:

            uOuOUCQ1≈-1.23V

              

    uI=10mv,则

              

六、电路如图P4.10所示,T1T2管的特性相同,所有晶体管的β均相同,Rc1远大于二极管的正向电阻。当uI1uI20V时,uO0V

                       P4.10

1)求解电压放大倍数的表达式;

2)当有共模输入电压时,uO=?简述理由。

    解:1)在忽略二极管动态电阻的情况下

                  

2)当有共模输入电压时,uO近似为零。由于Rc1>>rd,△uC1≈△uC2,因此△uBE30,故uO0

七、电路如图P5.14所示,已知CgsCgd5pFgm5mSC1C2CS10μF

    试求fHfL各约为多少,并写出的表达式。


P5.14

解:fHfL的表达式分析如下: