模拟电路期中模拟试题2

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）

（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）

（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ ）

（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R_GS大的特点。（ ）

（6）若耗尽型N沟道MOS管的U_GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）

解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、按要求填写下表。

电路名称	连接方式（e、c、b）			性能比较（大、中、小）
	公共极	输入极	输出极			R i	R o	其它
共射电路
共集电路
共基电路

解：答案如表所示。

电路名称	连接方式			性能比较（大、中、小）
	公共端	输入端	输出端			R i	R o	其它
共射电路	e	b	c	大	大	小	大
共集电路	c	b	e	小	大	大	小
共基电路	b	e	c	大	小	小	大	频带宽

三、电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当u_I＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以u_GS＝u_I。

当u_I＝4V时，u_GS小于开启电压，故T截止。

当u_I＝8V时，设T工作在恒流区，根据

输出特性可知i_D≈0.6mA，管压降

u_DS≈V_DD－i_DR_d≈10V

因此，u_GD＝u_GS－u_DS≈－2V，小于开启电压，

说明假设成立，即T工作在恒流区。

当u_I＝12V时，由于V_DD ＝12V，必然使T工作在可变电阻区。

图P1.23

四、 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U_BEQ＝0.7V。利用图解法分别求出R_L＝∞和R_L＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U_om（有效值）。

图P2.4

解：空载时：I_BQ＝20μA，I_CQ＝2mA，U_CEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。

带载时：I_BQ＝20μA，I_CQ＝2mA，U_CEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。

如解图P2.4所示。

解图P2.4

五、 图P3.6所示电路参数理想对称，β₁＝β₂＝β，r_be1＝r_be2＝r_be。

（1）写出R_W的滑动端在中点时A_d的表达式；

（2）写出R_W的滑动端在最右端时A_d的表达式，比较两个结果有什么不同。

图P3.6

解：（1）R_W的滑动端在中点时A_d的表达式为

（2）R_W的滑动端在最右端时

所以A_d的表达式为

比较结果可知，两种情况下的A_d完全相等；但第二种情况下的。

六、电路如图P4.8所示，具有理想的对称性。设各管β均相同。

（1）说明电路中各晶体管的作用；

（2）若输入差模电压为（u_I1－u_I2），则由此产生的差模电流为△i_D，求解电路电流放大倍数A_i的近似表达式。

解：（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T₁和T₂、T₃和T₄分别组成的复合管为放大管，T₅和T₆组成的镜像电流源为有源负载。

（2）由于用T₅和T₆所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及电路电流放大倍数 图P4.8

分别为

七、已知某电路电压放大倍数

试求解：

（1）＝？f_L＝？f_H ＝?

（2）画出波特图。

解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出、f_L、f_H。

（2）波特图如解图P5.6所示。

解图P5.6