一、选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为 。
A. 83 B. 91 C. 100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将 。
A.增大 B.不变 C.减小
解:(1)A ,C (2)A (3)C (4)A
二、在括号内用“Ö”或“×”表明下列说法是否正确。
(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;(
)
(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;(
)
(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;(
)
(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(
)
(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;(
)
(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;(
)
(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(
)
解:(1)× (2)√ (3)× (4)× (5)√ (6)×
(7)×
三、电路如图PT3.4所示,所有晶体管均为硅管,β均为60,=100Ω,静态时|UBEQ|≈0.7V。试求:
(1)静态时T1管和T2管的发射极电流。
(2)若静态时uO>0,则应如何调节Rc2的值才能使uO=0V?若静态uO=0V,则Rc2=?电压放大倍数为多少?
图T3.4
解:(1)T3管的集电极电流
IC3=(UZ-UBEQ3)/ Re3=0.3mA
静态时T1管和T2管的发射极电流
IE1=IE2=0.15mA
(2)若静态时uO>0,则应减小Rc2。
当uI=0时uO=0,T4管的集电极电流ICQ4=VEE / Rc4=0.6mA。Rc2的电流及其阻值分别为
电压放大倍数求解过程如下:
四、 电路如图P4.8所示,具有理想的对称性。设各管β均相同。
(1)说明电路中各晶体管的作用;
(2)若输入差模电压为(uI1-uI2),则由此产生的差模电流为△iD,求解电路电流放大倍数Ai的近似表达式。
解:(1)图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T1和T2、T3和T4分别组成的复合管为放大管,T5和T6组成的镜像电流源为有源负载。
(2)由于用T5和T6所构成的镜像电流源作为有源负载,将左半部分放大管的电流变化量转换到右边,故输出电流变化量及电路电流放大倍数
图P4.8
分别为
五、 若两级放大电路各级的波特图均如图P5.2所示,试画出整个电路的波特图。
解:。在折线化幅频特性中,频率小于10Hz时斜率为+40dB/十倍频,频率大于105Hz时斜率为-40dB/十倍频。在折线化相频特性中,f
=10Hz时相移为+90o,f =105Hz时相移为-90o。波特图如解图P5.18所示。
图P5.2
解图P5.18
六、电路如图P2.19所示,晶体管的b=60,=100Ω。
(1)求解Q点、、Ri和Ro;
(2)设=10mV(有效值),问
=?
=?若C3开路,则
=?
=?
图P2.19
解:(1)Q点:
、Ri和Ro的分析:
(2)设=10mV(有效值),则
若C3开路,则
七、 已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.22
解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22(a)所示〕,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值,建立iD=f(uGS)坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图P1.22(b)所示。
解图P1.22