模拟电路期末模拟试卷2

一、基本概念填空（共20分）

1.（3分）纯净的半导体叫 半导体。掺入3价杂质元素形成的半导体叫 型 半导体，它主要靠 导电。

2.（5分）PN结正向偏置是指P区接电源的 极、N区接电源的 极。这时多子的

运动较强，PN结厚度变 ，结电阻较 。

3.（4分）三极管有 和 两种载流子参与导电，故称作 极型晶体管；而场效应管称作 极型晶体管。

4.（4分）不论何种组态的放大电路，作放大之用的三极管都工作于输出特性曲线的

区。因此接入电路时，总要使它的发射结保持 偏置，使它的集电结保持

偏置。 三极管的电流放大作用，实质上是指它的基极电流对集电极电流的

作用。

5.（4分）稳定静态工作点应加 反馈；稳定放大倍数应加 反馈 稳定输出电压应加 反馈；稳定输出电流应加 反馈。

二、图示信息简答（共20分）

图2

图1

1.（3分）设二极管D1、D2为理想二极管，判断它们在图1中是导通还是截止？ 输出电压 Uo = .

2.（3分）图2电路对输入的交流信号电压是否正常放大? 理由是 .

3.（6分）根据图3某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线，可以得出：

1）静态点Q值：IB = IC = UCE = .

2）三极管电流放大系数β= . 3）集电极电阻 R_c = . 4）最大不失真输出电压幅度(Uom)max=______________

图3

4.（8分）判断图4，5示放大电路的反馈极性和组型

图4

图5

电 联 流 反馈 电 联 流 反馈

三、判断选择填空（选填A，B，C…1项或多项） （共20分）

1．放大电路分析时，可以忽略不予考虑的参量有（ ）

A 小数量，遇见恒大于它的数量时； B 倒数和关系中的恒小数量；

C 阻抗串联关系中的恒小电阻； D 阻抗串联关系中的恒小电容

2．在全频段阻容耦合共射单级放大电路中，信号在低频段不可忽略的电容或等效电容有（ ）

A 发射极电容元件； B 三极管的结电容；

C 电路导线分布电容； D 偶合电容元件

3．对三极管基本放大电路析时，须乘以（1+β）倍折算的元件是（ ）,

A 折算到发射极电流并联支路的三极管输入电阻rbe；

B 折算到基区的三极管发射结电阻rb’e;

C 折算到基极电流串联回路的发射极电阻Re；

D 折算到基极电流串联回路的发射极电容Ce ；

4．在放大电路的交流通路中（ ）可以视为短路。

A 无内阻的直流电压源； B 高、中频交流信号下工作的耦合电容元件；

C 高、中交流信号下的三极管结电容； D 高、中频交流信号下有旁路电容的电阻元件

5．减小放大信号非线性失真的措施有（ ）。

A 采用输入线性好的晶体管； B 采用交流负反馈放大电路；

C 稳定在合适静态工作点的小信号的电压或功率放大电路下工作；

D.稳定在互补对称功放电路的甲乙类状态下工作；

四、电路分析与计算（40分）

1．(10分)电路如图6所示，说明下列三种情况

时， 电路各属于和种组态，各有何特点？

（1）U2 = 0，从C极输出：共 极组态

特点： .

.

（2）U2 = 0，从E极输出：共 极组态

特点： .

图6

.

（3）U1 = 0，从C极输出：共 极组态

特点： .

.

2.（10分）固定偏流电路如图7(a)所示。

已知：V_CC = 12V，R_b = 280kΩ, R_c = 3kΩ,

R_L = 3 kΩ,三极管β= 50,

取 r_bb’= 200Ω， U_BE = 0.7V.

求:（1）静态工作点Q；

（2）求电压增益 Au ；

（3）假如该电路的输出波形出现如图7(b)

图7（a）

所示的失真,问是属于截止失真还是饱和失真?

调整电路中的哪个元件可以消除这种失真?

如何调整 ?

3.（10分）射极偏置电路如图8所示。已知: V_CC = 12V，R_b1 = 2.5kΩ, R_b2 =7.5kΩ，R_c = 2kΩ, R_e = 1kΩ, R_L = 2kΩ,三极管 β = 30,取r_bb’= 300Ω， U_BE = 0.7V.求：（1）静态工作点Q；（2）电压增益Au；（3）电路输入电阻Ri和输出电阻Ro

4.（10分）负反馈放大电路的开环增益A = 5000，反馈系数 F=0.03，

当温度变化使开环增益变化±5%时，求闭环增益的相对变化量

期末试卷2参考答案

一、基本概念填空（20分）

1．（3分） 本征，P（空穴），空穴

2．（5分） 正，负，扩散，薄，小

3．（4分） 电子，空穴，双，单

4．（4分） 放大，正向，反向，控制

5．（4分） 直流负，交流负，电压交流负，电流交流负

二、图示信息简答（20分）

1．（3分） D1导通，D2截止，UO = 0 V

2．（3分） 否，因Rb<Rc使VB>Vc不能保证集电结反向偏置，特别是偏流

IB过大可能损坏发射结

3．（6分）IB=0.02mA,IC≈1mA,UCE≈3V；β≈50；Rc≈3KΩ；(Uom)max≈1.5V

4. （8分）电流并联交直流负反馈；电压串联交直流负反馈

三、判断选择填空（20分）

1．（4分）C

2．（4分）A，D

3．（4分）B，C

4．（4分）A, B

5. （4分）B，D

四、电路分析与计算（40分）

1.(10分） (1)共射组态，有电压（反相）、电流放大能力

(2)共集组态，有电流、无电压（同相）放大能力，输入电阻高，输出电阻低

(3)共基组态，有电压（同相）、无电流放大能力，频率特性好

2.（10分）

（1） IB≈0.04mA,IC≈IE≈2mA,UCE≈6V

（2） rbe≈963Ω, R_L’≈1.5 KΩ, Au≈-78

（3） 饱和失真，调节偏流电阻Rb，增大阻值

3,.（10分）

(1)VB≈3V, IC≈IE≈2.3mA, IB≈0.077mA, UCE≈5.1V

(2)Ri≈483Ω,Ro≈RC = 2KΩ

(3)rbe≈650Ω, R_L’≈1 KΩ, Au≈-46.2

4..（10分）

dAuf/Auf=±0.02%